48th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference(IEEE SISC)

日　程：2017年12月6日-12月9日

会　場：Bahia Resort Hotel, San Diego, CA ,U.S.A.

参加者：長教授

IEEE SISCに参加し下記の発表を行いました．

Quantitative imaging of MOS interface trap using local deep level transient spectroscopy based on scanning nonlinear dielectric microscopy

Bahia Resort Hotelからの景色

オープニングセレモニー．

カンファレンスバンケットはクルーズ船中で開催されました

来年度も同じサンディエゴで開催予定．