The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017) & 28th European Symposium on Reliability of Dlectron Devices, Failure Physics and Analysis(ESREF2017)

日 程: 2017年9月17日~9月28日

会 場: Marriot Wardma Park, Washington DC , U.S.A. & Centre des Congres, BORDEAUX, France

参加者: 長教授,山岸特任助教

ICSCRM 2017にて以下のタイトルの発表を行いました

“DC bias dependence of local deep level transient spectroscopy signal and quantitative two-dimensional imaging of SiO2/SiC interface trap density

“Improvement of Local Deep Level Transient Spectroscopy for Microscopic Evaluation of SiO2/4H-SiC Interfaces

引き続きESREF 2017にて以下のタイトルの発表を行いました

DC bias dependence of local deep level transient spectroscopy spectrum and quantitative two-dimensional imaging of SiO2/SiC interface trap density


ICSCRM 2017の初日基調講演をする奥村元産総研先進パワーエレクトロニクス研究センター長.(クリック)それを聴くSiCの生みの親松波京都大学名誉教授

松波先生

ICSCRM 2017のエクスカーションで訪れたスミソニアン 航空宇宙博物館 別館 スティーブン・F・ウドヴァーヘイジー・センター内に展示してあるエノラ・ゲイ(広島に原爆を投下したB29).(クリック)B29の迎撃に使われた日本軍夜間戦闘機月光

月光

ホワイトハウス(クリック)アメリカのスレーキ(フィレ)

ステーキ

場所は変わりフランスボルドーの市街.(クリック)ボルドーの路面電車

市電

ESREF2017のオープニングセレモニー.(クリック)ボルドーの亀

亀

世界一周の旅でした.