The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017) & 28th European Symposium on Reliability of Dlectron Devices, Failure Physics and Analysis(ESREF2017)

日　程：　2017年9月17日~9月28日

会　場：　Marriot　Wardma Park, Washington DC , U.S.A. & Centre des Congres, BORDEAUX, France

参加者：　長教授，山岸特任助教

ICSCRM 2017にて以下のタイトルの発表を行いました

“DC bias dependence of local deep level transient spectroscopy signal and quantitative two-dimensional imaging of SiO2/SiC interface trap density

“Improvement of Local Deep Level Transient Spectroscopy for Microscopic Evaluation of SiO2/4H-SiC Interfaces

引き続きESREF 2017にて以下のタイトルの発表を行いました

DC bias dependence of local deep level transient spectroscopy spectrum and quantitative two-dimensional imaging of SiO2/SiC interface trap density

ICSCRM 2017の初日基調講演をする奥村元産総研先進パワーエレクトロニクス研究センター長．（クリック）それを聴くSiCの生みの親松波京都大学名誉教授

ICSCRM 2017のエクスカーションで訪れたスミソニアン 航空宇宙博物館 別館　スティーブン・F・ウドヴァーヘイジー・センター内に展示してあるエノラ・ゲイ（広島に原爆を投下したB29)．（クリック）B29の迎撃に使われた日本軍夜間戦闘機月光

ホワイトハウス（クリック）アメリカのスレーキ（フィレ）

場所は変わりフランスボルドーの市街．（クリック）ボルドーの路面電車

ESREF2017のオープニングセレモニー．（クリック）ボルドーの亀

世界一周の旅でした．