2016 MRS Fall Meeting & Exhibit & 2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)

日　程：2016年11月27日-12月7日

会　場：Hynes Convention Center, Boston, MA, USA & Hilton San Francisco Union Square, San Francisco, CA, USA

参加者：長教授

MRS Fall meeting 2016に参加し下記の２件の発表を行いました．

Local Deep Level Transient Spectroscopy Imaging for Characterization of Two-Dimensional Trap Distribution in SiO2/SiC Interface Using Super-Higher-Order Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy

Universal Parameter Characterizing SiO2/SiC Interface Quality Based on Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy

引き続きIEDM2016に参加いたしました．

Boston茶会事件現場１. （クリック）　Boston茶会事件現場２．

会場内１. （クリック）　会場内２．

サンフランシスコのケーブルカー（１）. （クリック）　サンフランシスコのケーブルカー（２）．

MRSは世界最大の材料科学の学会，IEDMは世界最高権威の半導体素子の学会です．