ナノ分極反転

　強誘電体におけるドメイン反転は，

(a)核生成

電圧を印加すると，まず初めに電界が集中している場所（探針先端の近傍）で分極反転ドメインの核が生成

(b)forward growth

核が電界印加方向（試料裏面）に成長

(c)sidewise growth

ドメイン壁が電界印加方向に対し垂直な方向（試料の面内方向）へ移動

の3つの過程に大別されます．

　ドメイン(ドット)の径の大きさは，印加電圧パルスの心腹や時間幅に依存することがわかっており，最適な電圧を印加することで微小なドメインを生成できます．

　図は厚さ30 nm[注： 1nmは10^-9nm]の一致溶融組成LiTaO₃(CLT)記録媒体にドットを書き込んだものです。短い電圧印加時間で微小なドメインが生成することが分かります．